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IXFN32N60
IXYS
制造商产品编号： IXFN32N60
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 74929
描述： MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    IXYS
  • 制造商产品编号
    IXFN32N60
  • 库存数量
    74929
  • 系列
    HiPerFET?
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    32A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    250 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    325 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    9000 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    520AW（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC