S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>2SK3313(Q)
2SK3313(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： 2SK3313(Q)
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 9721
描述： MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
FDU8780_F071
FDU8780_F071
onsemi
FDU8796_F071
FDU8796_F071
onsemi
FQD10N20CTM_F080
FQD10N20CTM_F080
onsemi
FQU10N20TU_AM002
FQU10N20TU_AM002
onsemi
FQU2N50BTU-WS
FQU2N50BTU-WS
onsemi
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    2SK3313(Q)
  • 库存数量
    9721
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    12A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    620 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    45 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2040 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    40W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-220NIS
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包