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SIZ342ADT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIZ342ADT-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 79906
描述： MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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ALD1116SAL
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Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106SBL
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Advanced Linear Devices Inc.
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZ342ADT-T1-GE3
  • 库存数量
    79906
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    15.7A（Ta），33.4A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    9.4 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    12.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    580pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    3.7W（Ta），16.7W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-Power33（3x3）