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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>US6M2TR
US6M2TR
Rohm Semiconductor
制造商产品编号： US6M2TR
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 65102
描述： MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Rohm Semiconductor
  • 制造商产品编号
    US6M2TR
  • 库存数量
    65102
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V，20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.5A，1A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    240 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    2.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    80pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    1W
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    TUMT6