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NTMFD0D9N02P1E
onsemi
制造商产品编号： NTMFD0D9N02P1E
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 42932
描述： IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NTMFD0D9N02P1E
  • 库存数量
    42932
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）非对称型
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V，25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    14A（Ta），30A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3 毫欧 @ 20A，10V，720μ欧姆 @ 41A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 340μA，2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    9nC @ 4.5V，30nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1400pF @ 15V，5050pF @ 13V
  • 功率 - 最大值
    960mW（Ta），1.04W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-PQFN（5x6）