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NVMD6N04R2G
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制造商产品编号: NVMD6N04R2G
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 59952
描述: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NVMD6N04R2G
  • 库存数量
    59952
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带(TR) , 剪切带(CT)
  • FET 类型
    2 N-通道(双)
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压(Vdss)
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4.6A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    34 毫欧 @ 5.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    30nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    900pF @ 32V
  • 功率 - 最大值
    1.29W
  • 工作温度
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
  • 供应商器件封装
    8-SOIC