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GWS4621L
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号: GWS4621L
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 93911
描述: MOSFET 2N-CH
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    Renesas Electronics America Inc
  • 制造商产品编号
    GWS4621L
  • 库存数量
    93911
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    2 N 沟道(双)共漏
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压(Vdss)
    20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10.1A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    9.8 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    1.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    11nC @ 4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    1125pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    3.6W(Ta)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    4-XFLGA,CSP
  • 供应商器件封装
    4-WLCSP(1.82x1.82)