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FDG6304P-F169
onsemi
制造商产品编号: FDG6304P-F169
产品分类: FET、MOSFET 阵列
库存数量: 76150
描述: INTEGRATED CIRCUIT
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    FDG6304P-F169
  • 库存数量
    76150
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能
    逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)
    25V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    410mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    1.1 欧姆 @ 410mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    1.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    62pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
    300mW
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装
    SC-70-6