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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>NVDD5894NLT4G
NVDD5894NLT4G
onsemi
制造商产品编号： NVDD5894NLT4G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 23442
描述： MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NVDD5894NLT4G
  • 库存数量
    23442
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    14A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    10 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    41nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    2103pF @ 25V
  • 功率 - 最大值
    3.8W
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
  • 供应商器件封装
    DPAK-5