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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>UPA2379T1P-E1-A
UPA2379T1P-E1-A
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号： UPA2379T1P-E1-A
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 52961
描述： MOSFET 2N-CH 12V
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Renesas Electronics America Inc
  • 制造商产品编号
    UPA2379T1P-E1-A
  • 库存数量
    52961
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    2 N 沟道（双）共漏
  • FET 功能
    逻辑电平栅极，2.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    20nC @ 4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
  • 功率 - 最大值
    1.8W
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    6-XFLGA
  • 供应商器件封装
    6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）