S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SIZF918DT-T1-GE3
SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIZF918DT-T1-GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 36914
描述： MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
SIZ720DT-T1-GE3
SIZ720DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
NTMFD6H852NLT1G
NTMFD6H852NLT1G
onsemi
SH8M14TB1
SH8M14TB1
Rohm Semiconductor
IRL6297SDTRPBF
IRL6297SDTRPBF
Infineon Technologies
TSM200N03DPQ33 RGG
TSM200N03DPQ33 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIZF918DT-T1-GE3
  • 库存数量
    36914
  • 系列
    TrenchFET? Gen IV
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    2 个 N 通道（双），肖特基
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    4 毫欧 @ 10A，10V，1.9 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.4V @ 250μA，2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    22nC @ 10V，56nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1060pF @ 15V，2650pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
    3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装
    8-PowerPair?（6x5）