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NTMFD6H852NLT1G
onsemi
制造商产品编号： NTMFD6H852NLT1G
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 66433
描述： MOSFET N-CH 80V 8DFN
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NTMFD6H852NLT1G
  • 库存数量
    66433
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 卷带（TR）
  • FET 类型
    2 N-通道（双）
  • FET 功能
  • 漏源电压（Vdss）
    80V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    295mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    1.6 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    26pF @ 20V
  • 功率 - 最大值
    250mW（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）