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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>SQUN702E-T1_GE3
SQUN702E-T1_GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SQUN702E-T1_GE3
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 83859
描述： MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
规格书： 立即下载
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SQUN702E-T1_GE3
  • 库存数量
    83859
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道，共漏
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    40V，200V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A（Tc），20A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，60 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA，3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    23nC @ 20V，14nC @ 20V，30.2nC @ 100V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1474pF @ 20V，1450pF @ 20V，1302pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
    48W（Tc），60W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装，可润湿侧翼
  • 封装/外壳
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  • 供应商器件封装
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