CSD87335Q3DT
Texas Instruments
制造商产品编号:
CSD87335Q3DT
库存数量:
18819
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 25A
立即询价:
0755-75583299131
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制造商
Texas Instruments
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制造商产品编号
CSD87335Q3DT
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库存数量
18819
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系列
NexFET?
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包装
卷带(TR) , 剪切带(CT)
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FET 类型
2 N-通道(双)
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FET 功能
标准
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漏源电压(Vdss)
30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
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不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.9V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
7.4nC @ 4.5V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1050pF @ 15V
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功率 - 最大值
6W
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工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型
表面贴装型
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封装/外壳
8-PowerLDFN
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供应商器件封装
8-LSON(3.3x3.3)