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网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>TSM6502CR RLG
TSM6502CR RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号： TSM6502CR RLG
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 34268
描述： MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • 制造商产品编号
    TSM6502CR RLG
  • 库存数量
    34268
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 和 P 沟道
  • FET 功能
    标准
  • 漏源电压（Vdss）
    60V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    24A（Tc），18A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1159pF @ 30V，930pF @ 30V
  • 功率 - 最大值
    40W
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装
    8-PDFN（5x6）