S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>FET、MOSFET 阵列>EPC2107
EPC2107
EPC
制造商产品编号： EPC2107
产品分类： FET、MOSFET 阵列
库存数量： 68227
描述： GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
QS8M51TR
QS8M51TR
Rohm Semiconductor
SI5908DC-T1-E3
SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix
BSC0924NDIATMA1
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
IRF7329TRPBF
IRF7329TRPBF
Infineon Technologies
SH8K32TB1
SH8K32TB1
Rohm Semiconductor
  • 制造商
    EPC
  • 制造商产品编号
    EPC2107
  • 库存数量
    68227
  • 系列
    eGaN?
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    3 N 沟道（半桥 + 同步自举）
  • FET 功能
    GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）
    100V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    1.7A，500mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    320 毫欧 @ 2A，5V，3.3 欧姆 @ 2A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    0.16nC @ 5V，0.044nC @ 5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    16pF @ 50V，7pF @ 50V
  • 功率 - 最大值
  • 工作温度
    -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    9-VFBGA
  • 供应商器件封装
    9-BGA（1.35x1.35）