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网站首页>产品中心>存储器>存储器>集成电路>TH58NYG3S0HBAI6
TH58NYG3S0HBAI6
Kioxia America, Inc.
制造商产品编号： TH58NYG3S0HBAI6
产品分类： 存储器
库存数量： 31175
描述： IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 制造商
    Kioxia America, Inc.
  • 制造商产品编号
    TH58NYG3S0HBAI6
  • 库存数量
    31175
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • 存储器类型
    非易失
  • 存储器格式
    闪存
  • 技术
    FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量
    8Gb（1G x 8）
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
  • 写周期时间 - 字，页
    25ns
  • 访问时间
    25 ns
  • 电压 - 供电
    1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度
    -40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    67-VFBGA
  • 供应商器件封装
    67-VFBGA（6.5x8）