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网站首页>产品中心>存储器>存储器>集成电路>MT49H64M9SJ-25E:B TR
MT49H64M9SJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
制造商产品编号： MT49H64M9SJ-25E:B TR
产品分类： 存储器
库存数量： 40877
描述： IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Micron Technology Inc.
  • 制造商
    Micron Technology Inc.
  • 制造商产品编号
    MT49H64M9SJ-25E:B TR
  • 库存数量
    40877
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • 存储器类型
    易失
  • 存储器格式
    DRAM
  • 技术
    DRAM
  • 存储容量
    576Mb（64M x 9）
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    400 MHz
  • 写周期时间 - 字，页
  • 访问时间
    15 ns
  • 电压 - 供电
    1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度
    0°C ~ 95°C（TC）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    144-TFBGA
  • 供应商器件封装
    144-FBGA（18.5x11）