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MT47H512M4THN-25E:M TR
Micron Technology Inc.
制造商产品编号: MT47H512M4THN-25E:M TR
产品分类: 存储器
库存数量: 11685
描述: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

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Micron Technology Inc.
  • 制造商
    Micron Technology Inc.
  • 制造商产品编号
    MT47H512M4THN-25E:M TR
  • 库存数量
    11685
  • 系列
  • 包装
    卷带(TR)
  • 存储器类型
    易失
  • 存储器格式
    DRAM
  • 技术
    SDRAM - DDR2
  • 存储容量
    2Gb(512M x 4)
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页
    15ns
  • 访问时间
    400 ps
  • 电压 - 供电
    1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度
    0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    63-TFBGA
  • 供应商器件封装
    63-FBGA(8x10)