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网站首页>产品中心>存储器>存储器>集成电路>MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
制造商产品编号： MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
产品分类： 存储器
库存数量： 42272
描述： IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA
立即询价： 0755-75583299131
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Micron Technology Inc.
  • 制造商
    Micron Technology Inc.
  • 制造商产品编号
    MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
  • 库存数量
    42272
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • 存储器类型
    非易失
  • 存储器格式
    闪存
  • 技术
    闪存 - NAND
  • 存储容量
    1.125Tb（144G x 8）
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    333 MHz
  • 写周期时间 - 字，页
  • 访问时间
  • 电压 - 供电
    2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度
    0°C ~ 70°C（TA）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    272-VFBGA
  • 供应商器件封装
    272-VBGA（14x18）