S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>可变电容（变容器，可变电抗器）>MMBV2107LT1G
MMBV2107LT1G
onsemi
制造商产品编号： MMBV2107LT1G
产品分类： 可变电容（变容器，可变电抗器）
库存数量： 22083
描述： DIODE TUNING SS 30V SOT-23
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
BBY5806WE6327BTSA1
BBY5806WE6327BTSA1
Infineon Technologies
BBY 59-02V E6327
BBY 59-02V E6327
Infineon Technologies
BBY 65-02V E6327
BBY 65-02V E6327
Infineon Technologies
BBY 66-05 E6327
BBY 66-05 E6327
Infineon Technologies
BBY6605WE6327HTSA1
BBY6605WE6327HTSA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    MMBV2107LT1G
  • 库存数量
    22083
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • 不同?Vr、F 时电容
    24.2pF @ 4V，1MHz
  • 电容比
    3.2
  • 电容比条件
    C2/C30
  • 电压 - 峰值反向（最大值）
    30 V
  • 二极管类型
    单路
  • 不同 Vr、F 时 Q 值
    350 @ 4V，50MHz
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装
    SOT-23-3（TO-236）