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网站首页>产品中心>分立半导体产品>双极晶体管阵列，预偏置>NSVEMD4DXV6T1G
NSVEMD4DXV6T1G
onsemi
制造商产品编号： NSVEMD4DXV6T1G
产品分类： 双极晶体管阵列，预偏置
库存数量： 18198
描述： TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NSVEMD4DXV6T1G
  • 库存数量
    18198
  • 系列
    EMD
  • 包装
    卷带（TR）
  • 晶体管类型
    1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)
    47 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)
    47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
    80 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
    250mV @ 300μA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    500nA
  • 频率 - 跃迁
  • 功率 - 最大值
    357mW
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商器件封装
    SOT-563