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网站首页>产品中心>分立半导体产品>双极晶体管阵列，预偏置>RN1706JE(TE85L,F)
RN1706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： RN1706JE(TE85L,F)
产品分类： 双极晶体管阵列，预偏置
库存数量： 56351
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
规格书： 立即下载
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Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    RN1706JE(TE85L,F)
  • 库存数量
    56351
  • 系列
  • 包装
    剪切带（CT）
  • 晶体管类型
    2 NPN - 预偏压（双）（耦合发射器）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)
    4.7 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2)
    47 千欧
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
    80 @ 10mA，5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
    300mV @ 250μA，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁
    250MHz
  • 功率 - 最大值
    100mW
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    SOT-553
  • 供应商器件封装
    ESV