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MT3S111TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： MT3S111TU,LF
产品分类： 双极射频晶体管
库存数量： 34987
描述： RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    MT3S111TU,LF
  • 库存数量
    34987
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    6V
  • 频率 - 跃迁
    10GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • 增益
    12.5dB
  • 功率 - 最大值
    800mW
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
    200 @ 30mA，5V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100mA
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    3-SMD，扁平引线
  • 供应商器件封装
    UFM