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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单，预偏置双极晶体管>NSVMMUN2132LT1G-M01
NSVMMUN2132LT1G-M01
onsemi
制造商产品编号： NSVMMUN2132LT1G-M01
产品分类： 单，预偏置双极晶体管
库存数量： 38943
描述： NSVMMUN2132LT1G-M01
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    onsemi
  • 制造商产品编号
    NSVMMUN2132LT1G-M01
  • 库存数量
    38943
  • 系列
    Automotive, AEC-Q101
  • 包装
    散装
  • 晶体管类型
    PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)
    4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)
    4.7 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
    15 @ 5mA，10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）
    250mV @ 1mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）
    500nA
  • 频率 - 跃迁
  • 功率 - 最大值
    246 mW
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装
    SOT-23-3（TO-236）