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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 IGBT>RJP65T54DPM-E0#T2
RJP65T54DPM-E0#T2
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号： RJP65T54DPM-E0#T2
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 46626
描述： IGBT TRENCH TO-3FP
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Renesas Electronics America Inc
  • 制造商产品编号
    RJP65T54DPM-E0#T2
  • 库存数量
    46626
  • 系列
  • 包装
    管件
  • IGBT 类型
    沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    60 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    225 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    1.68V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值
    63.5 W
  • 开关能量
    330μJ（开），760μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    72 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    35ns/120ns
  • 测试条件
    400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
  • 工作温度
    175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-3PFM，SC-93-3
  • 供应商器件封装
    TO-3PF