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AIHD03N60RFATMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： AIHD03N60RFATMA1
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 16860
描述： IC DISCRETE 600V TO252-3
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
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STMicroelectronics
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    AIHD03N60RFATMA1
  • 库存数量
    16860
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • IGBT 类型
    沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    5 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    7.5 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.5V @ 15V，2.5A
  • 功率 - 最大值
    53.6 W
  • 开关能量
    50μJ（开），40μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    17.1 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    10ns/128ns
  • 测试条件
    400V，2.5A，68 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装
    PG-TO252-3-313