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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 IGBT>IKD10N60RAATMA2
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
制造商产品编号： IKD10N60RAATMA2
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 33959
描述： IGBT 600V 20A 150W TO252-3
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IKD10N60RAATMA2
  • 库存数量
    33959
  • 系列
    TrenchStop?
  • 包装
    卷带（TR）
  • IGBT 类型
    沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    30 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.1V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值
    150 W
  • 开关能量
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    64 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    14ns/192ns
  • 测试条件
    400V，10A，23 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    62 ns
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
  • 供应商器件封装
    PG-TO252-3