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GT40WR21,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号: GT40WR21,Q
产品分类: 单 IGBT
库存数量: 28028
描述: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    GT40WR21,Q
  • 库存数量
    28028
  • 系列
  • 包装
    托盘
  • IGBT 类型
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
    1350 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
    40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    80 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)
    5.9V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值
    375 W
  • 开关能量
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
  • 25°C 时 Td(开/关)值
  • 测试条件
  • 反向恢复时间 (trr)
  • 工作温度
    175°C(TJ)
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商器件封装
    TO-3P(N)