S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 IGBT>GT30J121(Q)
GT30J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： GT30J121(Q)
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 67249
描述： IGBT 600V 30A 170W TO3PN
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
FGA15N120ANTDTU-F109
FGA15N120ANTDTU-F109
onsemi
IXYP8N90C3
IXYP8N90C3
IXYS
AOK20B120E1
AOK20B120E1
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RJP60D0DPP-M0#T2
RJP60D0DPP-M0#T2
Renesas Electronics America Inc
FGI3236-F085
FGI3236-F085
onsemi
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    GT30J121(Q)
  • 库存数量
    67249
  • 系列
  • 包装
    管件
  • IGBT 类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    60 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.45V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值
    170 W
  • 开关能量
    1mJ（开），800μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    90ns/300ns
  • 测试条件
    300V，30A，24 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
  • 工作温度
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商器件封装
    TO-3P（N）