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GT15J341,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： GT15J341,S4X
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 78760
描述： PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    GT15J341,S4X
  • 库存数量
    78760
  • 系列
  • 包装
    管件
  • IGBT 类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    15 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    60 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2V @ 15V，15A
  • 功率 - 最大值
    30 W
  • 开关能量
    300μJ（开），300μJ（关）
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
  • 25°C 时 Td（开/关）值
    60ns/170ns
  • 测试条件
    300V，15A，33 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr)
    80 ns
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装
    TO-220SIS