S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 IGBT>IXBT42N170
IXBT42N170
IXYS
制造商产品编号： IXBT42N170
产品分类： 单 IGBT
库存数量： 65846
描述： IGBT 1700V 80A 360W TO268
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
APT30GT60BRDQ2G
APT30GT60BRDQ2G
Microchip Technology
IKW40N120H3FKSA1
IKW40N120H3FKSA1
Infineon Technologies
RGS80TSX2DGC11
RGS80TSX2DGC11
Rohm Semiconductor
IKQ75N120CS6XKSA1
IKQ75N120CS6XKSA1
Infineon Technologies
AIKQ120N60CTXKSA1
AIKQ120N60CTXKSA1
Infineon Technologies
  • 制造商
    IXYS
  • 制造商产品编号
    IXBT42N170
  • 库存数量
    65846
  • 系列
    BIMOSFET?
  • 包装
    管件
  • IGBT 类型
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
    1700 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
    80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)
    300 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
    2.8V @ 15V，42A
  • 功率 - 最大值
    360 W
  • 开关能量
  • 输入类型
    标准
  • 栅极电荷
    188 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值
  • 测试条件
  • 反向恢复时间 (trr)
    1.32 μs
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
  • 供应商器件封装
    TO-268AA