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PHT11N06LT,135
NXP USA Inc.
制造商产品编号： PHT11N06LT,135
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 15858
描述： MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223
立即询价： 0755-75583299131
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NXP USA Inc.
  • 制造商
    NXP USA Inc.
  • 制造商产品编号
    PHT11N06LT,135
  • 库存数量
    15858
  • 系列
    TrenchMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    4.9A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    40 毫欧 @ 5A，5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    17 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）
    ±13V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1400 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    1.8W（Ta），8.3W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    SC-73
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA