S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>SI7615BDN-T1-GE3
SI7615BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI7615BDN-T1-GE3
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 92242
描述： MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
MCAC40N10YA-TP
MCAC40N10YA-TP
Micro Commercial Co
APL602L-1
APL602L-1
Microchip Technology
NTLJS3D9N03CTAG
NTLJS3D9N03CTAG
onsemi
IRLML0100TRPBF-1
IRLML0100TRPBF-1
Infineon Technologies
IRF8113TRPBF-1
IRF8113TRPBF-1
Infineon Technologies
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI7615BDN-T1-GE3
  • 库存数量
    92242
  • 系列
  • 包装
    剪切带（CT）
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    29A（Ta），104A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    3.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    155 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    4890 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    5.2W（Ta），66W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? 1212-8
  • 封装/外壳
    PowerPAK? 1212-8