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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>RQA0009TXDQS#H1
RQA0009TXDQS#H1
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号： RQA0009TXDQS#H1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 21279
描述： MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Renesas Electronics America Inc
  • 制造商产品编号
    RQA0009TXDQS#H1
  • 库存数量
    21279
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    16 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    800mV @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
  • Vgs（最大值）
    ±5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    76 pF @ 0 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    15W（Tc）
  • 工作温度
    150°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    UPAK
  • 封装/外壳
    TO-243AA