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SIA444DJT-T4-GE3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SIA444DJT-T4-GE3
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 26787
描述： MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SIA444DJT-T4-GE3
  • 库存数量
    26787
  • 系列
    TrenchFET?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    11A（Ta），12A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    17 毫欧 @ 7.4A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    560 pF @ 15 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    3.5W（Ta），19W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PowerPAK? SC-70-6
  • 封装/外壳
    PowerPAK? SC-70-6