S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>TPC8A05-H(TE12L,QM
TPC8A05-H(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号： TPC8A05-H(TE12L,QM
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 24620
描述： MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
SUP90N03-03-E3
SUP90N03-03-E3
Vishay Siliconix
SUP90N08-6M8P-E3
SUP90N08-6M8P-E3
Vishay Siliconix
JANTX2N6804
JANTX2N6804
Microsemi Corporation
STF16N50U
STF16N50U
STMicroelectronics
STF3LN62K3
STF3LN62K3
STMicroelectronics
  • 制造商
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商产品编号
    TPC8A05-H(TE12L,QM
  • 库存数量
    24620
  • 系列
    U-MOSV-H
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    10A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    13.3 毫欧 @ 5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    15 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1700 pF @ 10 V
  • FET 功能
    肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）
    1W（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-SOP（5.5x6.0）
  • 封装/外壳