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2SJ649-AZ
Renesas Electronics America Inc
制造商产品编号: 2SJ649-AZ
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 56770
描述: MOSFET P-CH 60V 20A TO220
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  • 制造商
    Renesas Electronics America Inc
  • 制造商产品编号
    2SJ649-AZ
  • 库存数量
    56770
  • 系列
  • 包装
    散装
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    4V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    48 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    38 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    1900 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    2W(Ta),25W(Tc)
  • 工作温度
    150°C(TJ)
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-220 隔离的标片
  • 封装/外壳
    TO-220-3 隔离片