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SI4829DY-T1-E3
Vishay Siliconix
制造商产品编号： SI4829DY-T1-E3
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 55040
描述： MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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SI3467DV-T1-GE3
SI3467DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI4829DY-T1-E3
  • 库存数量
    55040
  • 系列
    LITTLE FOOT?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    215 毫欧 @ 2.5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    210 pF @ 10 V
  • FET 功能
    肖特基二极管（隔离式）
  • 功率耗散（最大值）
    2W（Ta），3.1W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-SOIC
  • 封装/外壳