S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

满额免运费!

IXTA32N20T
IXYS
制造商产品编号: IXTA32N20T
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 52888
描述: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
规格书: 立即下载

立即询价: 0755-75583299131
联系我们: info@springic.net
为您推荐
TK12A60U(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8010-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8011-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8012-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCA8018-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage
  • 制造商
    IXYS
  • 制造商产品编号
    IXTA32N20T
  • 库存数量
    52888
  • 系列
    Trench
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    72 毫欧 @ 16A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    38 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    1760 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    200W(Tc)
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    TO-263AA
  • 封装/外壳
    TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB