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SI5463EDC-T1-E3
Vishay Siliconix
制造商产品编号: SI5463EDC-T1-E3
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 14233
描述: MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
规格书: 立即下载

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  • 制造商
    Vishay Siliconix
  • 制造商产品编号
    SI5463EDC-T1-E3
  • 库存数量
    14233
  • 系列
  • 包装
    卷带(TR) , 剪切带(CT)
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    3.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    62 毫欧 @ 4A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    450mV @ 250μA(最小)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)
    ±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    1.25W(Ta)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    1206-8 ChipFET?
  • 封装/外壳
    8-SMD,扁平引线