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IXFT12N90Q
IXYS
制造商产品编号: IXFT12N90Q
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 8558
描述: MOSFET N-CH 900V 12A TO268
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  • 制造商
    IXYS
  • 制造商产品编号
    IXFT12N90Q
  • 库存数量
    8558
  • 系列
    HiPerFET?, Q Class
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
    900 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    12A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
    900 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
    5.5V @ 4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
    90 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
    2900 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
    300W(Tc)
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    TO-268AA
  • 封装/外壳
    TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA