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IPP12CNE8N G
Infineon Technologies
制造商产品编号： IPP12CNE8N G
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 92587
描述： MOSFET N-CH 85V 67A TO220-3
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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Infineon Technologies
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IPP12CNE8N G
  • 库存数量
    92587
  • 系列
    OptiMOS?
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    85 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    67A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    12.9 毫欧 @ 67A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 83μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    64 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    4340 pF @ 40 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    125W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    PG-TO220-3
  • 封装/外壳
    TO-220-3