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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>PHD20N06T,118
PHD20N06T,118
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号： PHD20N06T,118
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 24748
描述： MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    Nexperia USA Inc.
  • 制造商产品编号
    PHD20N06T,118
  • 库存数量
    24748
  • 系列
    TrenchMOS?
  • 包装
    卷带（TR）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    18A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    77 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    11 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    422 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    51W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    DPAK
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63