S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>ZXMN3A02N8TA
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
制造商产品编号： ZXMN3A02N8TA
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 40095
描述： MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
2N7002PT,115
2N7002PT,115
NXP USA Inc.
2N7002F,215
2N7002F,215
Nexperia USA Inc.
BUK7515-100A,127
BUK7515-100A,127
Nexperia USA Inc.
BSH112,235
BSH112,235
NXP USA Inc.
PSMN9R0-30YL,115
PSMN9R0-30YL,115
NXP USA Inc.
  • 制造商
    Diodes Incorporated
  • 制造商产品编号
    ZXMN3A02N8TA
  • 库存数量
    40095
  • 系列
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    7.3A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    25 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    26.8 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1400 pF @ 25 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    1.56W（Ta）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    8-SO
  • 封装/外壳