S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>IPT65R105G7XTMA1
IPT65R105G7XTMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号： IPT65R105G7XTMA1
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 21098
描述： MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
NX2301P,215
NX2301P,215
NXP Semiconductors
G300P06T
G300P06T
Goford Semiconductor
G45P40T
G45P40T
Goford Semiconductor
GT700P08T
GT700P08T
Goford Semiconductor
TPS1101PWR
TPS1101PWR
Texas Instruments
  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    IPT65R105G7XTMA1
  • 库存数量
    21098
  • 系列
    CoolMOS? C7
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    24A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    105 毫欧 @ 8.9A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 440μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    35 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1670 pF @ 400 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    156W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PG-HSOF-8-2
  • 封装/外壳
    8-PowerSFN