FDN335N
UTD Semiconductor
制造商产品编号：
FDN335N
库存数量：
4406
描述：
SOT-23 MOSFETS ROHS
立即询价：
0755-75583299131
联系我们：
info@springic.net
-
制造商
UTD Semiconductor
-
制造商产品编号
FDN335N
-
库存数量
4406
-
系列
UMW
-
包装
卷带（TR） , 剪切带（CT）
-
FET 类型
P 通道
-
技术
MOSFET（金属氧化物）
-
漏源电压（Vdss）
20 V
-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 1.7A，4.5V
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250μA
-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V
-
Vgs（最大值）
±8V
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
310 pF @ 10 V
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
-
工作温度
150°C（TJ）
-
安装类型
表面贴装型
-
供应商器件封装
SOT-23
-
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
-
