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网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>FDN338P
FDN338P
UTD Semiconductor
制造商产品编号： FDN338P
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 51686
描述： 20V 1.6A 500MW 115MR@4.5V,1.6A 1
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
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  • 制造商
    UTD Semiconductor
  • 制造商产品编号
    FDN338P
  • 库存数量
    51686
  • 系列
    UMW
  • 包装
    卷带（TR） , 剪切带（CT）
  • FET 类型
    P 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    10 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）
    ±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    405 pF @ 10 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    400mW（Ta）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    SOT-23
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3