S P R I N G I C
选择语言:

需要帮助? 0755-75583299131

Tel 0755-75583299131
Email info@springic.net

满额免运费！

网站首页>产品中心>分立半导体产品>单 FET，MOSFET>S2M0025120D
S2M0025120D
SMC Diode Solutions
制造商产品编号： S2M0025120D
产品分类： 单 FET，MOSFET
库存数量： 31868
描述： MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
规格书： 立即下载
立即询价： 0755-75583299131
联系我们： info@springic.net
为您推荐
APT6010LFLLG
APT6010LFLLG
Microchip Technology
APT10050JVFR
APT10050JVFR
Microchip Technology
IXFN50N80Q2
IXFN50N80Q2
IXYS
IXFL38N100Q2
IXFL38N100Q2
IXYS
MKE38P600LB-TUB
MKE38P600LB-TUB
IXYS
  • 制造商
    SMC Diode Solutions
  • 制造商产品编号
    S2M0025120D
  • 库存数量
    31868
  • 系列
  • 包装
    管件
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    63A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    34 毫欧 @ 50A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 15mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    130 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    4402 pF @ 1000 V
  • FET 功能
  • 功率耗散（最大值）
    446W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    通孔
  • 供应商器件封装
    TO-247AD
  • 封装/外壳
    TO-247-3