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AIMBG120R080M1XTMA1
Infineon Technologies
制造商产品编号: AIMBG120R080M1XTMA1
产品分类: 单 FET,MOSFET
库存数量: 1193
描述: SIC_DISCRETE

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  • 制造商
    Infineon Technologies
  • 制造商产品编号
    AIMBG120R080M1XTMA1
  • 库存数量
    1193
  • 系列
    CoolSiC?
  • 包装
    卷带(TR)
  • FET 类型
  • 技术
    SiC(碳化硅结晶体管)
  • 漏源电压(Vdss)
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    30A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • Vgs(最大值)
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
  • FET 功能
  • 功率耗散(最大值)
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    PG-TO263-7-12
  • 封装/外壳
    TO-263-8,D2Pak(7 引线+接片),TO-263CA